[tel-01078229] Modulateurs à base de puits quantiques Ge/SiGe pour la photonique sur silicium

Silicon photonics has generated a great interest for several years for applications from long-haul optical telecommunication to intra-chip interconnects The ultimate integration of optics and electronics on the same chip would allow an increase of the integrated circuit performances at low cost In this context the work done during my PhD is focused on the study of optical modulation around the direct bandgap of Ge/SiGe quantum well structures at room temperature by Quantum Confined Stark effect QCSE Electrical and optical simulations have been used to design a modulator operating at 13μm Such device has been fabricated and characterized demonstrating an extinction ratio up to 6 dB using a 50 µm-long structure The second objective of my work was to design and demonstrate a modulator integrated on SOI waveguide The demonstration of an efficient QCSE in Ge/SiGe quantum wells grown on the top of a 360nm homogeneous virtual substrate has paved the way for such integration Simulations were conducted to demonstrate the feasibility of an evanescent vertical coupling between an SOI optical waveguide and a Ge/SiGe active region and to evaluate the performance of this device A technological process has then been proposed to fabricate the devices All steps have been optimized for the fabrication of the modulator integrated with the waveguides Mainly six electronic beam lithography and four etching steps were used Preliminary experimental results obtained with such component are presented This work paves the way to the demonstration of complex photonic integrated circuits including modulators photodetectors and passive structures on the same chipLa photonique silicium est un domaine de recherche en pleine expansion depuis quelques années Elle est envisagée comme une solution prometteuse pour le remplacement des interconnexions électriques par des liens optiques A terme l’intégration de l’optique et de l’électronique sur les mêmes puces doit permettre une augmentation des performances des circuits intégrés et ainsi proposer des composants à hautes performances et à bas coût Dans ce contexte les travaux menés durant ma thèse ont porté plus spécifiquement sur l’étude de la modulation optique autour de la bande interdite directe et à température ambiante des structures à puits quantiques Ge/SiGe par effet Stark confiné quantiquement ESCQ Des simulations électriques et optiques ont été menées pour concevoir un modulateur fonctionnant à la longueur d’onde de 13μm La fabrication et la caractérisation de ce dispositif a permis de démontrer une modulation efficace autour de 13μm avec des taux de modulation atteignant 6 dB avec un dispositif de 50 µm de long Le second objectif de mon travail a été de concevoir un modulateur intégré sur une plateforme SOI bénéficiant de structures passives performantes et compactes La démonstration de l’ESCQ sur une structure à puits quantique Ge/SiGe épitaxiée sur un substrat homogène de 360 nm a ouvert la voie à cette intégration Des simulations ont été menées pour démontrer la possibilité de réaliser un couplage vertical évanescent entre un guide optique SOI et la structure Ge/SiGe et pour évaluer les performances de ce dispositif Un procédé technologique de fabrication a ensuite été défini et toutes les étapes ont été optimisées pour la réalisation du modulateur intégré avec les guides d’onde Principalement six étapes de lithographies électroniques et quatre étapes de gravure sont nécessaires Les résultats préliminaires obtenus avec ces dispositifs sont présentés Les perspectives de ce travail de thèse concernent la réalisation de circuits intégrés photoniques complexes intégrant modulateurs photodétecteurs et structures passives sur le même circuit



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